金沢大学の小田竜樹教授(理工学域数物科学類 計算科学コース）、千葉大学の坂本一之准教授を中心として国際共同研究チーム（日本･韓国･スウェーデン･ドイツ･イタリア）は、電子が有する３つの性質（電流の担い手である電荷、磁石の起源であるスピン、固体中での電子の動きを制御するバレー（谷）の自由度）を組み合わせることに初めて成功しました。ほとんどの半導体デバイスの材料であるシリコンを用いて得たこの結果は、現在のシリコンエレクトロニクスデバイスを次世代のシリコンスピントロニクスデバイスにつなげる重要な足がかりとなるものです。今後のスマートフォンやタブレットなど情報端末機器の制御や、パソコンでの論理演算の高効率・省エネルギー化の開発を加速させるものと期待されます。