esm.dat
is read if JESM is not specified as non-zero.
ESM(Effective Screened Medium)法を用いた電場の印加を
可能にするスイッチ。電場が印加される方向は、軸方向で、面内には
周期境界条件が用いられる。JESM
にゼロでない値を指定すると
ファイルesm.dat
を読みにゆく。
QBAC=0.0
).
真空()/スラブ/真空()の空間配置で
仮想境界とに対して、
が採用される。ポテンシャルの
周期境界とに対してが
採用される。
電子数を中性(QBAC=0.0
)に保たなければならない。
VESMP
and VESMM
to boundary and
respectively in space arrangement of perfect conductor()/slab/perfect conductor().It is possible to shift the number of electrons from neutrality(QBAC=0.0
), and it can calculate the electron system. The charge which compensates the electrified charge appears on the surface of a perfect conductor.
完全導体()/スラブ/完全導体()の空間配置で
境界と
に対して、
ポテンシャル値
をVESMP, VESMM
にそれぞれ指定する。電子数を中性(QBAC=0.0
)から
ずらすことが可能であり、帯電した系を計算することができる。
帯電した電荷を補償する電荷が完全導体の表面に現れる。
Z1ESM
and Z2ESM
is used as boundary and virtual boundary in the space arrangement of perfect vacuum()/slab/perfect conductor().The potential at starting point is given by making the potential value of boundary into zero.It is possible to shift the number of electrons from neutrality(QBAC=0.0
), and it can calculate the electron system.The charge which compensates the electrified charge appears on the surface of a perfect conductor.
真空()/スラブ/完全導体()の空間配置で
境界と仮想境界として、
Z1ESM, Z2ESM
で指定した値が使われる。
ポテンシャルの原点は、境界でのポテンシャル値を
ゼロとすることで与えられている。
電子数を中性(QBAC=0.0
)からずらすことが可能であり、
帯電した系を計算することができる。
帯電した電荷を補償する電荷がの完全導体表面に
現れる。
Z1ESM
and Z2ESM
is used as vertual boundary and boundary in the space arrangement of perfect conductor()/slab/vacuum().The potential at starting point is given by making the potential value of boundary into zero.It is possible to shift the number of electrons from neutrality(QBAC=0.0
), and it can calculate the electron system.The charge which compensates the electrified charge appears on the surface of a perfect conductor.
完全導体()/スラブ/真空()の空間配置(JESM=3
と
逆の配置)で仮想境界と境界として、
Z1ESM, Z2ESM
で指定した値が使われる。
ポテンシャルの原点は、境界でのポテンシャル値を
ゼロとすることで与えられている。
電子数を中性(QBAC=0.0
)からずらすことが可能であり、
帯電した系を計算することができる。
帯電した電荷を補償する電荷がの完全導体表面に
現れる。
EESMP
and EESMM
is given to virtual boundary (Z1ESM
) and (-Z1ESM
in the space arrangement of vacuum()/slab/vacuum(). It is necessary to maintain the number of electrons at neutrality(QBAC=0.0
).
真空()/スラブ/真空()の空間配置で
仮想境界(Z1ESM
)と(-Z1ESM
)
での電場EESMP, EESMM
を与える。
電子数を中性(QBAC=0.0
)に保たなければならない。
Z1ESM
) is given by VESMP
, and the electric field of (-Z1ESM
) is given by EESMM
in the space arrangement of perfect conductor()/slab/perfect conductor().It is possible to shift the number of electrons from neutrality(QBAC=0.0
), and it can calculate the electron system.
完全導体()/スラブ/完全導体()の空間配置で
仮想境界(Z1ESM
)でのポテンシャル値を
VESMP
で与え、(-Z1ESM
)での
電場をEESMM
で与える。
電子数を中性(QBAC=0.0
)からずらすことが可能であり、
帯電した系を計算することができる。
Z1ESM
) is given by EESMP
,and the potential value of (-Z1ESM
) is given by VESMM
in space arrangement of a perfect conductor()/slab/perfect conductor().It is possible to shift the number of electrons from neutrality(QBAC=0.0
), and it can calculate the electron system.
JESM=6の場合の電場とポテンシャルの役割を入れ替えた場合
である。完全導体()/スラブ/完全導体()の空間配置で
仮想境界(Z1ESM
)での電場を
EESMP
で与え、(-Z1ESM
)での
ポテンシャル値をVESMM
で与える。
電子数を中性(QBAC=0.0
)からずらすことが可能であり、
帯電した系を計算することができる。
JESM=0
is calculated using the ESM method.It is necessary to maintain the number of electrons at neutrality(QBAC=0.0
).
JESM=0
と同じ結果を与える計算をESM法を用いて
計算する。したがって、
電子数を中性(QBAC=0.0
)に保たなければならない。
esm.dat
(The example of the three-atoms layer of a platinum (111))
z
coordinates, the specification value of tresm
is negative.
esm.dat
の入力形式 (白金(111)面の3原子層の例)
z
座標の負の領域に置かれているので、tresm
の指定値が
負になっている。
cat > ${tmpdir}/esm.dat << end 0 -5.42169 jtresm tresm 15.0 -15.0 z1esm z2esm 0.000 0.000 vesmp vesmm 0.000 0.000 eesmp eesmm end
sample.dat.sh
, it is specified where the center position of an electrode surface is placed.It is good to specify near the center of a system.Must be specified.In jtesm=0
, z coordinates are specified by a.u., and the number of the fourier mesh of the direction of z is specified with the real number in jtesm=1
.
ESM(Effective Screened Medium)法を用いるときに
2つの電極の位置を適切な位置に置くために用いる。
sample.dat.sh
に入力する原子座標で、電極表面
の中心位置をどこに置くかを指定する。系の中心付近を
指定すればよい。必ず指定しなければならない。
jtesm=0
のときは、a.u.でz
座標を指定し、
jtesm=1
のときは、z
方向のフーリエメッシュ
の個数を実数で指定する。
z1esm
and z2esm
are coordinates of the electrode by the side of +
of z
coordinates, and coordinates of the electrode by the side of -
.Usually, it is goot to use approximately the half of the direction unit cell of z direction.
電極表面の中心位置を原点にして計ったz
座標を
指定する。 z1esm
とz2esm
は、
z
座標の+
側の電極の座標、
-
側の電極の座標である。
通常、z
方向単位胞の半分程度とすれば
よい。
vesmp
and vesmm
show the electrode potential by the side of +
of z
coordinates, and the electrode potential by the side of -
.
必要な場合に、電極の電位を指定する。
vesmp
とvesmm
は、
z
座標の+
側の電極電位
と-
側の電極電位を示している。
eesmp
and eesmm
show the electrode electric field by the side of +
of z
coordinates, and the electrode electric field by the side of -
.The electric field which has a mark given by the derivation of the z direction.
必要な場合に、電極の電場を指定する。
eesmp
とeesmm
は、
z
座標の+
側の電極電場
と-
側の電極電場を示している。
電場は、z
方向の微分で与えられる符号を
持つように指定する。