esm.dat is read if JESM is not specified as non-zero.
ESM(Effective Screened Medium)法を用いた電場の印加を
可能にするスイッチ。電場が印加される方向は、
軸方向で、
面内には
周期境界条件が用いられる。JESMにゼロでない値を指定すると
ファイルesm.datを読みにゆく。
QBAC=0.0).
真空(
)/スラブ/真空(
)の空間配置で
仮想境界
と
に対して、
が採用される。ポテンシャルの
周期境界
と
に対して
が
採用される。
電子数を中性(QBAC=0.0)に保たなければならない。
VESMP and VESMM to boundary QBAC=0.0), and it can calculate the electron system. The charge which compensates the electrified charge appears on the surface of a perfect conductor.
完全導体(
)/スラブ/完全導体(
)の空間配置で
境界
と
に対して、
ポテンシャル値
をVESMP, VESMM
にそれぞれ指定する。電子数を中性(QBAC=0.0)から
ずらすことが可能であり、帯電した系を計算することができる。
帯電した電荷を補償する電荷が完全導体の表面に現れる。
Z1ESM and Z2ESM is used as boundary QBAC=0.0), and it can calculate the electron system.The charge which compensates the electrified charge appears on the surface
真空(
)/スラブ/完全導体(
)の空間配置で
境界
と仮想境界
として、
Z1ESM, Z2ESMで指定した値が使われる。
ポテンシャルの原点は、境界
でのポテンシャル値を
ゼロとすることで与えられている。
電子数を中性(QBAC=0.0)からずらすことが可能であり、
帯電した系を計算することができる。
帯電した電荷を補償する電荷が
の完全導体表面に
現れる。
Z1ESM and Z2ESM is used as vertual boundary QBAC=0.0), and it can calculate the electron system.The charge which compensates the electrified charge appears on the surface
完全導体(
)/スラブ/真空(
)の空間配置(JESM=3と
逆の配置)で仮想境界
と境界
として、
Z1ESM, Z2ESMで指定した値が使われる。
ポテンシャルの原点は、境界
でのポテンシャル値を
ゼロとすることで与えられている。
電子数を中性(QBAC=0.0)からずらすことが可能であり、
帯電した系を計算することができる。
帯電した電荷を補償する電荷が
の完全導体表面に
現れる。
EESMP and EESMM is given to virtual boundary Z1ESM) and -Z1ESM in the space arrangement of vacuum(QBAC=0.0).
真空(
)/スラブ/真空(
)の空間配置で
仮想境界
(Z1ESM)と
(-Z1ESM)
での電場EESMP, EESMMを与える。
電子数を中性(QBAC=0.0)に保たなければならない。
Z1ESM) is given by VESMP, and the electric field of -Z1ESM) is given by EESMM in the space arrangement of perfect conductor(QBAC=0.0), and it can calculate the electron system.
完全導体(
)/スラブ/完全導体(
)の空間配置で
仮想境界
(Z1ESM)でのポテンシャル値を
VESMPで与え、
(-Z1ESM)での
電場をEESMMで与える。
電子数を中性(QBAC=0.0)からずらすことが可能であり、
帯電した系を計算することができる。
Z1ESM) is given by EESMP ,and the potential value of -Z1ESM) is given by VESMM in space arrangement of a perfect conductor(QBAC=0.0), and it can calculate the electron system.
JESM=6の場合の電場とポテンシャルの役割を入れ替えた場合
である。完全導体(
)/スラブ/完全導体(
)の空間配置で
仮想境界
(Z1ESM)での電場を
EESMPで与え、
(-Z1ESM)での
ポテンシャル値をVESMMで与える。
電子数を中性(QBAC=0.0)からずらすことが可能であり、
帯電した系を計算することができる。
JESM=0 is calculated using the ESM method.It is necessary to maintain the number of electrons at neutrality(QBAC=0.0).
JESM=0と同じ結果を与える計算をESM法を用いて
計算する。したがって、
電子数を中性(QBAC=0.0)に保たなければならない。
esm.dat(The example of the three-atoms layer of a platinum (111))
z coordinates, the specification value of tresm is negative.
esm.datの入力形式 (白金(111)面の3原子層の例)
z座標の負の領域に置かれているので、tresmの指定値が
負になっている。
cat > ${tmpdir}/esm.dat << end
0 -5.42169 jtresm tresm
15.0 -15.0 z1esm z2esm
0.000 0.000 vesmp vesmm
0.000 0.000 eesmp eesmm
end
sample.dat.sh, it is specified where the center position of an electrode surface is placed.It is good to specify near the center of a system.Must be specified.In jtesm=0, z coordinates are specified by a.u., and the number of the fourier mesh of the direction of z is specified with the real number in jtesm=1.
ESM(Effective Screened Medium)法を用いるときに
2つの電極の位置を適切な位置に置くために用いる。
sample.dat.shに入力する原子座標で、電極表面
の中心位置をどこに置くかを指定する。系の中心付近を
指定すればよい。必ず指定しなければならない。
jtesm=0のときは、a.u.でz座標を指定し、
jtesm=1のときは、z方向のフーリエメッシュ
の個数を実数で指定する。
z1esm and z2esm are coordinates of the electrode by the side of + of z coordinates, and coordinates of the electrode by the side of -.Usually, it is goot to use approximately the half of the direction unit cell of z direction.
電極表面の中心位置を原点にして計ったz座標を
指定する。 z1esmとz2esmは、
z座標の+側の電極の座標、
-側の電極の座標である。
通常、z方向単位胞の半分程度とすれば
よい。
vesmp and vesmm show the electrode potential by the side of + of z coordinates, and the electrode potential by the side of -.
必要な場合に、電極の電位を指定する。
vesmpとvesmmは、
z座標の+側の電極電位
と-側の電極電位を示している。
eesmp and eesmm show the electrode electric field by the side of + of z coordinates, and the electrode electric field by the side of -.The electric field which has a mark given by the derivation of the z direction.
必要な場合に、電極の電場を指定する。
eesmpとeesmmは、
z座標の+側の電極電場
と-側の電極電場を示している。
電場は、z方向の微分で与えられる符号を
持つように指定する。